Carburo de silicio negro lavado con agua F100 para resistencia de carburo de silicio semiconductor
El carburo de silicio negro lavado con agua F100 es una arena fina de carburo de silicio producida mediante fundición a alta temperatura, trituración, lavado con ácido y álcali, y purificación gradual. Cumple con los requisitos de las válvulas resistivas de carburo de silicio semiconductoras (varistores/resistencias magnetizantes). Presenta varias ventajas: alta pureza y bajas impurezas, propiedades eléctricas controlables, gran estabilidad térmica, estructura densa, resistencia a la intemperie y durabilidad.
I. Alta pureza y bajas impurezas, rendimiento eléctrico estable
– Alta pureza. Tras el lavado y purificación con agua, el contenido de SiC es ≥99%, el carbono libre (CF) ≤0,2%, el óxido de hierro (Fe₂O₃) ≤0,4% y presenta impurezas metálicas extremadamente bajas.
– Bajas impurezas y propiedades eléctricas controladas. Se elimina una gran cantidad de impurezas magnéticas como hierro y aluminio, lo que reduce la corriente de fuga y evita la corrosión electroquímica localizada. Las características de resistencia no lineal de la válvula son más estables, con menor tensión residual y una respuesta más rápida.
– Consistencia del lote. Los procesos de lavado con agua y clasificación garantizan un tamaño de partícula concentrado (125–150 μm) y partículas limpias sin aglomeración. Esto se traduce en una dispersión de baja resistividad y una gran consistencia del lote.
II. Características de semiconductores controlables, excelente respuesta del varistor.
– Semiconductor de banda prohibida ancha. El carburo de silicio negro posee intrínsecamente características de varistor no lineales; la resistencia disminuye rápidamente ante cambios repentinos en el campo eléctrico, absorbiendo con precisión las sobretensiones y proporcionando una protección fiable contra las mismas.
– Adaptabilidad al tamaño de partícula n.° 100. Las partículas gruesas (125–150 μm) forman una red conductora estable, equilibrando la capacidad de conducción de la válvula y la tensión nominal de resistencia, lo que las hace adecuadas para el moldeo de válvulas de resistencia de media y alta tensión.
– Resistividad ajustable. La pureza y el tamaño de partícula controlables permiten ajustar la resistividad de la válvula (10¹～10⁵Ω·cm), adaptándose a dispositivos de protección de diferentes niveles de voltaje.
III. Alta conductividad térmica + alta estabilidad a altas temperaturas, fuerte disipación de calor y resistencia a la temperatura.
– Alta conductividad térmica. Conductividad térmica de aproximadamente 490 W/(m·K) (3 veces la del silicio, 1,5 veces la del cobre), disipando rápidamente el calor de las sobretensiones, evitando la degradación térmica de la placa de la válvula y prolongando su vida útil.
– Alta resistencia a la temperatura. Punto de fusión de 2250 ℃, temperatura de funcionamiento a largo plazo de hasta 1900 ℃, las propiedades eléctricas y mecánicas no se degradan a altas temperaturas, adecuado para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.
– Baja dilatación térmica. Bajo coeficiente de dilatación térmica, menos propenso a agrietarse y deformarse ante cambios de temperatura, estructura estable de la placa de la válvula y alta resistencia al choque térmico.
