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Fabricante chino de nanopartículas de carburo de silicio 4N

El fabricante chino de nanopartículas de carburo de silicio 4N suministra nanopartículas de carburo de silicio de alta pureza, como 500 nm, 300 nm, 100 nm, etc. Se trata de carburo de silicio en fase β con una pureza de 5N o superior. El carburo de silicio cúbico en fase β tiene una estructura cristalina cúbica 3C, y su morfología cristalina única le confiere una dureza cercana a la del diamante, con una dureza Mohs de 9,5-9,75. El polvo de carburo de silicio β de alta pureza se produce mediante métodos de termoendurecimiento a alta temperatura y deposición química de vapor (CVD). El producto se caracteriza por su alta pureza, alto contenido de fase beta, tamaño de partícula controlable, excelente actividad de sinterización y buena dispersibilidad. Simultáneamente, el carburo de silicio cúbico posee excelentes propiedades fisicoquímicas, como alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva electrónica, alta movilidad electrónica, resistencia a la corrosión y buena resistencia al choque térmico. Se utiliza ampliamente en las industrias aeroespacial, de cerámica de alta gama, de baterías de nueva energía, de tratamiento de superficies y de semiconductores.

$74,900.00 – $100,000.00 / MT

Fabricante chino de nanopartículas de carburo de silicio 4N

El fabricante chino de nanopartículas de carburo de silicio 4N suministra nanopartículas de carburo de silicio de alta pureza, como 500 nm, 300 nm, 100 nm, etc. Se trata de carburo de silicio en fase β con una pureza de 5N o superior. El carburo de silicio cúbico en fase β tiene una estructura cristalina cúbica 3C, y su morfología cristalina única le confiere una dureza cercana a la del diamante, con una dureza Mohs de 9,5-9,75. El polvo de carburo de silicio β de alta pureza se produce mediante métodos de termoendurecimiento a alta temperatura y deposición química de vapor (CVD). El producto se caracteriza por su alta pureza, alto contenido de fase beta, tamaño de partícula controlable, excelente actividad de sinterización y buena dispersibilidad. Simultáneamente, el carburo de silicio cúbico posee excelentes propiedades fisicoquímicas, como alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva electrónica, alta movilidad electrónica, resistencia a la corrosión y buena resistencia al choque térmico. Se utiliza ampliamente en las industrias aeroespacial, de cerámica de alta gama, de baterías de nueva energía, de tratamiento de superficies y de semiconductores.

nanopartículas de SiC

Características de rendimiento del nanopulvo de carburo de silicio 4N del fabricante chino:

  1. Alta pureza, con una pureza del producto que alcanza 5N o superior.
  2. Contenido de fase cúbica de hasta el 99%, forma cristalina de fase β pura.
  3. Morfología: Partículas esféricas con una amplia gama de tamaños seleccionables.
  4. Bajo contenido de oxígeno, inferior al 0,3%.
  5. Buena actividad de sinterización y fácil dispersión.
  6. Excelente resistencia a altas temperaturas, al desgaste, a la corrosión y al choque térmico.

Índice físico de nanopartículas de carburo de silicio 4N, fabricante chino

estructura cristalina Cúbico
Fase cristalina b
contenido β ≥99%
Punto de fusión 2700°
Temperatura de descomposición 2830°±40°
coeficiente de dilatación térmica 2,5-7 x10 -6 /°C
Conductividad térmica 0,255 W/cm K
Dureza de Mohs 9,5-9,75
Dureza Vickers (microdureza) 3300-3500 kg/mm²
Peso específico 3,216 g/cm³

 

Especulación.

Especulación. Tamaño Pureza de SiC (%) Porcentaje β Forma
5N-βSiC-100nm 100 nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-300nm 300 nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-500nm 500 nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-2um 2 µm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-5um 5 µm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-10um 10 µm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-10um 50 µm 5N ≥99% subesférico
7N-βSiC-G 1-10 mm 7N ≥99% Partícula

 

Aplicación de nanopartículas de carburo de silicio 4N (fabricante chino)

  1. Molienda fina
  2. Cerámica de carburo de silicio de precisión
  3. Nuevas baterías de energía
  4. Semiconductores
  5. Recubrimientos especiales
  6. Materiales de alta temperatura
  7. Componentes electrónicos
Preguntas frecuentes:

P: ¿Qué grado de pureza puede alcanzar el nanopulvo de β-SiC que se puede producir?

A: Podemos producir nanopartículas de carburo de silicio con una pureza del 99%, 99,9% y 99,99%.

P: ¿Cuál es el proceso de fabricación del nanopulvo de SiC que utilizan?

A: Producimos nanopartículas de carburo de silicio mediante el proceso CVD.

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