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Polvo de nano-carburo de silicio (99-99,99 %) 10 000#, 20 000#, 30 000#

El polvo de nano carburo de silicio (SiC) al 99-99,99 % 10 000#20 000#30 000# se refiere a un polvo extrafino con un tamaño de partícula de nanómetros. La pureza del SiC es de hasta el 99 % y el 99,99 %. El proceso de producción del nanocarburo de silicio es diferente del método de Acheson, pero se sintetiza mediante reacciones químicas. El polvo de nano carburo de silicio tiene las características de alta resistencia, alta dureza y alta pureza. Se utiliza ampliamente en los campos de los nanomateriales, polvos de molienda, cerámicas especiales, materiales compuestos, etc.

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Polvo de nano-carburo de silicio (99-99,99 %) 10 000#, 20 000#, 30 000#

El polvo de nano carburo de silicio (SiC) al 99-99,99 % 10 000#20 000#30 000# se refiere a un polvo extrafino con un tamaño de partícula de nanómetros. La pureza del SiC es de hasta el 99 % y el 99,99 %. El proceso de producción del nanocarburo de silicio es diferente del método de Acheson, pero se sintetiza mediante reacciones químicas. El polvo de nano carburo de silicio tiene las características de alta resistencia, alta dureza y alta pureza. Se utiliza ampliamente en los campos de los nanomateriales, polvos de molienda, cerámicas especiales, materiales compuestos, etc.

Características del polvo de nano-SiC al 99-99,99 %
  1. Alta pureza de carburo de silicio. La pureza del nano carburo de silicio en polvo es superior al 99 % y el SiC con una pureza del 99 % al 99,99 % está disponible con producción personalizada.
  2. El polvo de carburo de silicio nano tiene alta precisión y se puede producir desde 30 nm hasta 500 nm.
  3. Están disponibles polvos de SiC alfa y SiC beta personalizados según los requisitos.
  4. El polvo nano SiC tiene propiedades químicas estables y alta resistencia a la corrosión a alta temperatura y a los solventes alcalinos ácidos.
  5. El polvo de carburo de silicio nano tiene una alta dureza y una resistencia superior al desgaste.
  6. El polvo de nano SiC tiene una banda prohibida alta, así como características de campo eléctrico de ruptura crítica altas y alta conductividad térmica.

 

Índice técnico del polvo de nano-SiC:
Estructura cristalina Cúbico Hexagonal
Fase cristalina b a
Punto de fusión 2700° 2400°
Temperatura de descomposición 2830°±40° 2600° disociar
Coeficiente de expansión térmica 2,5-7 x10 -6 /°C 7-9 x10 -6 /°C
Conductividad térmica 0,255 W/cm·K 0,410 W/cm·K
Dureza de Mohs 9,5-9,75 9.4-9.5
Dureza Vickers (microdureza) 3300-3500 kg/mm2 3200-3400 kg/mm2
Banda prohibida 2,2 eV 2,86 eV
Permitividad relativa 9,72 euros 9.66-10.03e
Movilidad electrónica >1000 460

 

Presupuesto:

Especulación. Tamaño medio de partícula Contenido de SiC Frase Color
β-SiC50nm 50 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde oscuro
β-SiC80nm 80 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde oscuro
β-SiC150nm 150 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde oscuro
β-SiC500nm 500 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde grisáceo
β-SiC700nm 700 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde grisáceo
β-SiC800nm 800 nm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde grisáceo
β-SiC1um 1 um 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde
β-SiC3um 3um 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde
β-SiC5um 5um 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde
β-SiC8um 8 pm 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde
β-SiC10um 10 um 99% / 99,9% /99,99% β-SiC Verde
α-SiC500nm 500 nm 99% / 99,9% α-SiC Verde grisáceo
α-SiC700nm 700 nm 99% / 99,9% α-SiC Verde grisáceo
α-SiC800nm 800 nm 99% / 99,9% α-SiC Verde grisáceo
α-SiC1um 1 um 99% / 99,9% α-SiC Verde amarillo
α-SiC3um 3um 99% / 99,9% α-SiC Verde amarillo
α-SiC5um 5um 99% / 99,9% α-SiC Verde amarillo
α-SiC8um 8 pm 99% / 99,9% α-SiC Verde amarillo
α-SiC10um 10 um 99% / 99,9% α-SiC Verde amarillo

 

*Otras especificaciones personalizadas están disponibles a pedido.

 

Escenarios de aplicación:
  1. Polvos de pulido y rectificado avanzados, especialmente en la industria de semiconductores.
  2. Materiales nanocompuestos como resinas modificadas, recubrimientos de nano carburo de silicio, etc.
  3. Supercondensadores.
  4. Catalizadores y materiales absorbentes
  5. Materiales de impresión 3D
  6. Materiales refractarios de alto rendimiento
  7. Materiales cerámicos industriales avanzados especiales
  8. Semiconductores de banda ancha de tercera generación

 

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