Polvo de SiC 5N Carburo de silicio beta cúbico 100 nm 300 nm 500 nm
El carburo de silicio beta de alta pureza es carburo de silicio en fase β con una pureza de 5N o superior. El carburo de silicio cúbico en fase β posee una estructura cristalina cúbica 3C, y su morfología cristalina única le confiere una dureza cercana a la del diamante, con una dureza Mohs de 9,5-9,75. El polvo de carburo de silicio β de alta pureza se produce mediante métodos de termoendurecimiento a alta temperatura y deposición química de vapor (CVD). El producto se caracteriza por su alta pureza, alto contenido de fase beta, tamaño de partícula controlable, excelente actividad de sinterización y buena dispersibilidad. Al mismo tiempo, el carburo de silicio cúbico posee excelentes propiedades fisicoquímicas, como alta conductividad térmica, alta velocidad de deriva electrónica, alta movilidad electrónica, resistencia a la corrosión y buena resistencia al choque térmico. Se utiliza ampliamente en las industrias aeroespacial, cerámica de alta gama, baterías de nueva energía, tratamiento de superficies y semiconductores.
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Características de rendimiento del polvo de SiC 5N (carburo de silicio beta cúbico):
- Alta pureza, con una pureza del producto que alcanza 5N o superior.
- Contenido de fase cúbica de hasta el 99%, forma cristalina de fase β pura.
- Morfología: Partículas esféricas con una amplia gama de tamaños seleccionables.
- Bajo contenido de oxígeno, inferior al 0,3%.
- Buena actividad de sinterización y fácil dispersión.
- Excelente resistencia a altas temperaturas, al desgaste, a la corrosión y al choque térmico.
Índice físico
| estructura cristalina | Cúbico |
| Fase cristalina | b |
| contenido β | ≥99% |
| Punto de fusión | 2700° |
| Temperatura de descomposición | 2830°±40° |
| coeficiente de dilatación térmica | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| Conductividad térmica | 0,255 W/cm K |
| Dureza de Mohs | 9,5-9,75 |
| Dureza Vickers (microdureza) | 3300-3500 kg/mm² |
| Peso específico | 3,216 g/cm³ |
Especulación.
| Especulación. | Tamaño | Pureza de SiC (%) | Porcentaje β | Forma |
| 5N-βSiC-100nm | 100 nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-300nm | 300 nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-500nm | 500 nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-2um | 2 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-5um | 5 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-10um | 10 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-10um | 50 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Partícula |
Solicitud
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